Nombor Bahagian :
SIRC10DP-T1-GE3
Pengeluar :
Vishay Siliconix
Penerangan :
MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
30V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1873pF @ 15V
Ciri FET :
Schottky Diode (Body)
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
43W (Tc)
Suhu Operasi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes :
PowerPAK® SO-8