Nombor Bahagian :
TPN22006NH,LQ
Pengeluar :
Toshiba Semiconductor and Storage
Penerangan :
MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
60V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 30V
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
700mW (Ta), 18W (Tc)
Suhu Operasi :
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pakej / Kes :
8-PowerVDFN