Nombor Bahagian :
IRFBE30LPBF
Pengeluar :
Vishay Siliconix
Penerangan :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
800V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
125W (Tc)
Suhu Operasi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan :
Through Hole
Pakej Peranti Pembekal :
I2PAK
Pakej / Kes :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA