Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W979H6KBVX2E TR

Winbond Electronics - W979H6KBVX2E TR

KEY Part #: K940390

W979H6KBVX2E TR Harga (USD) [29615pcs Stock]

  • 1 pcs$2.07968
  • 3,500 pcs$2.06933
Nombor Bahagian:
W979H6KBVX2E TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W979H6KBVX2E TR electronic components. W979H6KBVX2E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W979H6KBVX2E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H6KBVX2E TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W979H6KBVX2E TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR2
Saiz Memori : 512Mb (32M x 16)
Frekuensi Jam : 400MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : -
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.14V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -25°C ~ 85°C (TC)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 134-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 134-VFBGA (10x11.5)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • W25M02GVZEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON.

  • W25M02GVZEIT TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

  • FM25CL64B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • BR24G1M-3A

    Rohm Semiconductor

    IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8-DIP-T.

  • AT28HC64B-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 6116LA25SOG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

Bahagian panas