Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W9812G6JB-6I TR

Winbond Electronics - W9812G6JB-6I TR

KEY Part #: K940660

W9812G6JB-6I TR Harga (USD) [31391pcs Stock]

  • 1 pcs$1.75372
  • 2,500 pcs$1.74500
Nombor Bahagian:
W9812G6JB-6I TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W9812G6JB-6I TR electronic components. W9812G6JB-6I TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9812G6JB-6I TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9812G6JB-6I TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W9812G6JB-6I TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM
Saiz Memori : 128Mb (8M x 16)
Frekuensi Jam : 166MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : -
Masa Capaian : 5ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 3V ~ 3.6V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 54-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 54-TFBGA (8x8)

Berita terkini

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • W25M512JVEIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 25LC1024-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • U62256AS2C07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • U62256AS2K07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • U62256ADC07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

Bahagian panas