Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W9825G2JB-6 TR

Winbond Electronics - W9825G2JB-6 TR

KEY Part #: K938552

W9825G2JB-6 TR Harga (USD) [20898pcs Stock]

  • 1 pcs$2.64156
  • 2,500 pcs$2.62841
Nombor Bahagian:
W9825G2JB-6 TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W9825G2JB-6 TR electronic components. W9825G2JB-6 TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9825G2JB-6 TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9825G2JB-6 TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W9825G2JB-6 TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM
Saiz Memori : 256Mb (8M x 32)
Frekuensi Jam : 166MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : -
Masa Capaian : 5ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 3V ~ 3.6V
Suhu Operasi : 0°C ~ 70°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 90-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 90-TFBGA (8x13)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • IS61LP6432A-133TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61NLP6432A-200TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v

Bahagian panas