Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Discrete Semiconductor Products
  4. Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
  5. EPC2107ENGRT

EPC - EPC2107ENGRT

KEY Part #: K6525173

EPC2107ENGRT Harga (USD) [107742pcs Stock]

  • 1 pcs$0.37254
  • 5,000 pcs$0.37069
Nombor Bahagian:
EPC2107ENGRT
Pengeluar:
EPC
Penerangan terperinci:
GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in EPC EPC2107ENGRT electronic components. EPC2107ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2107ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2107ENGRT Atribut Produk

Nombor Bahagian : EPC2107ENGRT
Pengeluar : EPC
Penerangan : GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
Siri : eGaN®
Status Bahagian : Active
Jenis FET : 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Ciri FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) : 100V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C : 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Kuasa - Maks : -
Suhu Operasi : -40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 9-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 9-BGA (1.35x1.35)
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.

  • SI6913DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP.

  • DMN2016UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP.

  • SP8J5TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC.

Bahagian panas