Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W988D2FBJX7E

Winbond Electronics - W988D2FBJX7E

KEY Part #: K941760

W988D2FBJX7E Harga (USD) [39206pcs Stock]

  • 1 pcs$1.35683
  • 240 pcs$1.35008
Nombor Bahagian:
W988D2FBJX7E
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 256M mSDR, x32, 133MHz, 65nm
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W988D2FBJX7E electronic components. W988D2FBJX7E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W988D2FBJX7E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W988D2FBJX7E Atribut Produk

Nombor Bahagian : W988D2FBJX7E
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPSDR
Saiz Memori : 256Mb (8M x 32)
Frekuensi Jam : 133MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 5.4ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -25°C ~ 85°C (TC)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 90-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 90-VFBGA (8x13)

Berita terkini

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • MT25QU128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • MT25QU256ABA1EW9-0SIT TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SPI FLASH NOR SLC 64MX4 WPDFN

  • CAV24M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb I2C CMOS Serial EEPROM

  • 24AA515-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 64kx8 64B - 1.8V

  • 24LC515T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 64kx8 64B - 2.5V

  • 24AA515T-I/SM

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIJ. EEPROM 64kx8 64B - 1.8V

Bahagian panas