Infineon Technologies - FP10R12W1T7B11BOMA1

KEY Part #: K6532746

FP10R12W1T7B11BOMA1 Harga (USD) [2466pcs Stock]

  • 1 pcs$17.55907

Nombor Bahagian:
FP10R12W1T7B11BOMA1
Pengeluar:
Infineon Technologies
Penerangan terperinci:
LOW POWER EASY.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Infineon Technologies FP10R12W1T7B11BOMA1 electronic components. FP10R12W1T7B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP10R12W1T7B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP10R12W1T7B11BOMA1 Atribut Produk

Nombor Bahagian : FP10R12W1T7B11BOMA1
Pengeluar : Infineon Technologies
Penerangan : LOW POWER EASY
Siri : *
Status Bahagian : Active
Jenis IGBT : -
Konfigurasi : -
Voltage - Breaker Pemungut Pemungut (Max) : -
Pemungut Semasa (Ic) (Maks) : -
Kuasa - Maks : -
Vce (pada) (Maks) @ Vge, Ic : -
Semasa - Pemungut Cutoff (Max) : -
Input Capacitance (Cies) @ Vce : -
Input : -
NTC Thermistor : -
Suhu Operasi : -
Jenis Pemasangan : -
Pakej / Kes : -
Pakej Peranti Pembekal : -

Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT