Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. AS4C64M8D1-5BCN

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M8D1-5BCN

KEY Part #: K940737

AS4C64M8D1-5BCN Harga (USD) [31582pcs Stock]

  • 1 pcs$1.45821
  • 240 pcs$1.45095
Nombor Bahagian:
AS4C64M8D1-5BCN
Pengeluar:
Alliance Memory, Inc.
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BCN electronic components. AS4C64M8D1-5BCN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M8D1-5BCN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M8D1-5BCN Atribut Produk

Nombor Bahagian : AS4C64M8D1-5BCN
Pengeluar : Alliance Memory, Inc.
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR
Saiz Memori : 512Mb (64M x 8)
Frekuensi Jam : 200MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 700ps
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 2.3V ~ 2.7V
Suhu Operasi : 0°C ~ 70°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 60-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 60-FBGA (8x13)

Berita terkini

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • 25LC1024-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • DS24B33S+

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 4K 1WIRE 8SO. EEPROM 1-Wire 4kbit EEPROM

  • AT28BV64B-20SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS IND TEMP GRN PKG

  • 6116SA20SOG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

Bahagian panas