Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. AS4C16M32MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C16M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937513

AS4C16M32MSA-6BIN Harga (USD) [17157pcs Stock]

  • 1 pcs$2.67064
Nombor Bahagian:
AS4C16M32MSA-6BIN
Pengeluar:
Alliance Memory, Inc.
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA. DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSA-6BIN electronic components. AS4C16M32MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C16M32MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M32MSA-6BIN Atribut Produk

Nombor Bahagian : AS4C16M32MSA-6BIN
Pengeluar : Alliance Memory, Inc.
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile SDRAM
Saiz Memori : 512Mb (16M x 32)
Frekuensi Jam : 166MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 5.4ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 90-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 90-FBGA (8x13)

Berita terkini

Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

  • S29GL512T12DHVV23

    Cypress Semiconductor Corp

    IC NOR. NOR Flash Nor

Bahagian panas