Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Discrete Semiconductor Products
  4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  5. EPC2019

EPC - EPC2019

KEY Part #: K6417174

EPC2019 Harga (USD) [53015pcs Stock]

  • 1 pcs$0.81534
  • 1,000 pcs$0.81128
Nombor Bahagian:
EPC2019
Pengeluar:
EPC
Penerangan terperinci:
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in EPC EPC2019 electronic components. EPC2019 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2019, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2019 Atribut Produk

Nombor Bahagian : EPC2019
Pengeluar : EPC
Penerangan : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Siri : eGaN®
Status Bahagian : Active
Jenis FET : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) : 200V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C : 8.5A (Ta)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1.5mA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 100V
Ciri FET : -
Pemberlakuan Kuasa (Max) : -
Suhu Operasi : -40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal : Die
Pakej / Kes : Die
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.

Bahagian panas