Nombor Bahagian :
SIHD12N50E-GE3
Pengeluar :
Vishay Siliconix
Penerangan :
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
550V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
10.5A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
886pF @ 100V
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
114W (Tc)
Suhu Operasi :
-55°C ~ 150°C (TA)
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
D-PAK (TO-252AA)
Pakej / Kes :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63