Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W97AH6KBVX2E TR

Winbond Electronics - W97AH6KBVX2E TR

KEY Part #: K939812

W97AH6KBVX2E TR Harga (USD) [27053pcs Stock]

  • 1 pcs$2.46642
  • 3,500 pcs$2.45415
Nombor Bahagian:
W97AH6KBVX2E TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W97AH6KBVX2E TR electronic components. W97AH6KBVX2E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W97AH6KBVX2E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W97AH6KBVX2E TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W97AH6KBVX2E TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR2
Saiz Memori : 1Gb (64M x 16)
Frekuensi Jam : 400MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : -
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.14V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -25°C ~ 85°C (TC)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 134-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 134-VFBGA (10x11.5)

Berita terkini

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

Bahagian panas