Infineon Technologies - FF200R12KE4HOSA1

KEY Part #: K6532657

FF200R12KE4HOSA1 Harga (USD) [883pcs Stock]

  • 1 pcs$52.62862

Nombor Bahagian:
FF200R12KE4HOSA1
Pengeluar:
Infineon Technologies
Penerangan terperinci:
IGBT MODULE 1200V 200A.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Infineon Technologies FF200R12KE4HOSA1 electronic components. FF200R12KE4HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R12KE4HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KE4HOSA1 Atribut Produk

Nombor Bahagian : FF200R12KE4HOSA1
Pengeluar : Infineon Technologies
Penerangan : IGBT MODULE 1200V 200A
Siri : C
Status Bahagian : Active
Jenis IGBT : Trench Field Stop
Konfigurasi : Half Bridge
Voltage - Breaker Pemungut Pemungut (Max) : 1200V
Pemungut Semasa (Ic) (Maks) : 240A
Kuasa - Maks : 1100W
Vce (pada) (Maks) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Semasa - Pemungut Cutoff (Max) : 5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Suhu Operasi : -40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Chassis Mount
Pakej / Kes : Module
Pakej Peranti Pembekal : Module

Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.