Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W989D2DBJX6I

Winbond Electronics - W989D2DBJX6I

KEY Part #: K941053

W989D2DBJX6I Harga (USD) [33919pcs Stock]

  • 1 pcs$1.66340
  • 240 pcs$1.65512
Nombor Bahagian:
W989D2DBJX6I
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W989D2DBJX6I electronic components. W989D2DBJX6I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W989D2DBJX6I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W989D2DBJX6I Atribut Produk

Nombor Bahagian : W989D2DBJX6I
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPSDR
Saiz Memori : 512Mb (16M x 32)
Frekuensi Jam : 166MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 5ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 90-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 90-VFBGA (8x13)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • W25Q256JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q256JVEIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • FM24CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8TDFN. F-RAM IIC FRAM 64K 3V

  • 25LC1024T-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

  • 25AA1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128kx8 - 1.8V

  • 25LC1024T-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 128K x 8 - 2.5-5.5V

Bahagian panas