Nombor Bahagian :
IPB036N12N3GATMA1
Pengeluar :
Infineon Technologies
Penerangan :
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
120V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 270µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
211nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
13800pF @ 60V
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
300W (Tc)
Suhu Operasi :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
PG-TO263-7
Pakej / Kes :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB