Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W9712G6KB25I TR

Winbond Electronics - W9712G6KB25I TR

KEY Part #: K943446

W9712G6KB25I TR Harga (USD) [66181pcs Stock]

  • 1 pcs$0.98835
  • 2,500 pcs$0.98343
Nombor Bahagian:
W9712G6KB25I TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA. DRAM 128M DDR2-800, x16 T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W9712G6KB25I TR electronic components. W9712G6KB25I TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9712G6KB25I TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9712G6KB25I TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W9712G6KB25I TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR2
Saiz Memori : 128Mb (8M x 16)
Frekuensi Jam : 200MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 400ps
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.9V
Suhu Operasi : -40°C ~ 95°C (TC)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 84-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 84-TFBGA (8x12.5)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • W25Q128JVPIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W25Q128JVPIM

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

  • FM25L16B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 16K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 16K Serial SPI 3V FRAM

  • 24FC512-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8DFN. EEPROM 64kx8 - 2.5V Hi Spd

  • 24LC512-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8DFN. EEPROM 64kx8 - 2.5V

  • 24AA512-I/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8DFN. EEPROM 64kx8 - 1.8V

Bahagian panas