Infineon Technologies - FF200R12KE3B2HOSA1

KEY Part #: K6534469

FF200R12KE3B2HOSA1 Harga (USD) [807pcs Stock]

  • 1 pcs$57.54841

Nombor Bahagian:
FF200R12KE3B2HOSA1
Pengeluar:
Infineon Technologies
Penerangan terperinci:
MOD IGBT MED PWR 62MM-1.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Infineon Technologies FF200R12KE3B2HOSA1 electronic components. FF200R12KE3B2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF200R12KE3B2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF200R12KE3B2HOSA1 Atribut Produk

Nombor Bahagian : FF200R12KE3B2HOSA1
Pengeluar : Infineon Technologies
Penerangan : MOD IGBT MED PWR 62MM-1
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis IGBT : -
Konfigurasi : Half Bridge
Voltage - Breaker Pemungut Pemungut (Max) : 1200V
Pemungut Semasa (Ic) (Maks) : 295A
Kuasa - Maks : 1050W
Vce (pada) (Maks) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 200A
Semasa - Pemungut Cutoff (Max) : 5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Suhu Operasi : -40°C ~ 125°C
Jenis Pemasangan : Chassis Mount
Pakej / Kes : Module
Pakej Peranti Pembekal : Module

Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NC60VD

    STMicroelectronics

    IGBT 50A 600V ISOTOP.