Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W9812G2KB-6 TR

Winbond Electronics - W9812G2KB-6 TR

KEY Part #: K939612

W9812G2KB-6 TR Harga (USD) [25684pcs Stock]

  • 1 pcs$2.14384
  • 2,500 pcs$2.13317
Nombor Bahagian:
W9812G2KB-6 TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W9812G2KB-6 TR electronic components. W9812G2KB-6 TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9812G2KB-6 TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9812G2KB-6 TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W9812G2KB-6 TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM
Saiz Memori : 128Mb (4M x 32)
Frekuensi Jam : 166MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : -
Masa Capaian : 5ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 3V ~ 3.6V
Suhu Operasi : 0°C ~ 70°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 90-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 90-TFBGA (8x13)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • MR45V256AMAZAAT-L

    Rohm Semiconductor

    IC FRAM 256K SPI 15MHZ 8SOP. F-RAM 256K; SPI; 3.3V FeRAM 15MHz

  • MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOP.

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • 6116LA20TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

  • AS8C401825-QC75N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 7.5ns 256K x 18 Synch SRAM

Bahagian panas