Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W9751G8KB25I TR

Winbond Electronics - W9751G8KB25I TR

KEY Part #: K942797

W9751G8KB25I TR Harga (USD) [53372pcs Stock]

  • 1 pcs$1.35589
  • 2,500 pcs$1.34914
Nombor Bahagian:
W9751G8KB25I TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA. DRAM 512M DDR2-800, x8 Ind Temp T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W9751G8KB25I TR electronic components. W9751G8KB25I TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W9751G8KB25I TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W9751G8KB25I TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W9751G8KB25I TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR2
Saiz Memori : 512Mb (64M x 8)
Frekuensi Jam : 400MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 400ps
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.9V
Suhu Operasi : -40°C ~ 95°C (TC)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 60-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 60-WBGA (8x12.5)

Berita terkini

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • DS28EC20+T

    Maxim Integrated

    IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3. EEPROM 20Kb 1-Wire EEPROM

  • IS25LP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP128F-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 128Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • W25N01GVZEIT TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 1G-bit Serial NAND flash, 3V

  • W25N01GVZEIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON. NAND Flash 1G-bit Serial NAND flash, 3V

  • W25Q128JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

Bahagian panas