Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W949D6DBHX5E TR

Winbond Electronics - W949D6DBHX5E TR

KEY Part #: K941549

W949D6DBHX5E TR Harga (USD) [37564pcs Stock]

  • 1 pcs$1.41272
  • 2,500 pcs$1.40569
Nombor Bahagian:
W949D6DBHX5E TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W949D6DBHX5E TR electronic components. W949D6DBHX5E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D6DBHX5E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D6DBHX5E TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W949D6DBHX5E TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR
Saiz Memori : 512Mb (32M x 16)
Frekuensi Jam : 200MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 5ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -25°C ~ 85°C (TC)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 60-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 60-VFBGA (8x9)

Berita terkini

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • SST26VF032-80-5I-QAE

    Microchip Technology

    IC FLASH 32M SPI 80MHZ 8WSON.

  • N01S830BAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • N01S830HAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB 3.V HOLD FNC, TSSOP

  • N01S818HAT22IT

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • IS25LQ032B-JNLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash 32Mb QSPI, 8-pin SOP 150Mil, RoHS

  • SST26VF064B-104V/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mbit SPI/SQI Flash 2.3V-3.6V, 105C

Bahagian panas