Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W979H2KBVX2I

Winbond Electronics - W979H2KBVX2I

KEY Part #: K938289

W979H2KBVX2I Harga (USD) [19919pcs Stock]

  • 1 pcs$2.49476
  • 171 pcs$2.48235
Nombor Bahagian:
W979H2KBVX2I
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W979H2KBVX2I electronic components. W979H2KBVX2I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W979H2KBVX2I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W979H2KBVX2I Atribut Produk

Nombor Bahagian : W979H2KBVX2I
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPDDR2
Saiz Memori : 512Mb (16M x 32)
Frekuensi Jam : 400MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : -
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.14V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 134-VFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 134-VFBGA (10x11.5)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

Bahagian panas