Nombor Bahagian :
1N5809US
Pengeluar :
Microsemi Corporation
Penerangan :
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Voltan - DC Reverse (Vr) (Max) :
100V
Semasa - Purata Rectified (Io) :
3A
Voltan - Teruskan (Vf) (Max) @ Jika :
875mV @ 4A
Kelajuan :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Masa Pemulihan Songsang (trr) :
30ns
Semasa - Kebocoran Songsang @ Vr :
5µA @ 100V
Kapasiti @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
B, SQ-MELF
Suhu Pengoperasian - Persimpangan :
-65°C ~ 175°C