Nombor Bahagian :
RN1705JE(TE85L,F)
Pengeluar :
Toshiba Semiconductor and Storage
Penerangan :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Jenis Transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Pemungut Semasa (Ic) (Maks) :
100mA
Voltage - Breaker Pemungut Pemungut (Max) :
50V
Resistor - Base (R1) :
2.2 kOhms
Rintangan - Pangkalan Penggabungan (R2) :
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Semasa - Pemungut Cutoff (Max) :
100nA (ICBO)
Kekerapan - Peralihan :
250MHz
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
ESV