Vishay Siliconix - SIRA10BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6395926

SIRA10BDP-T1-GE3 Harga (USD) [274892pcs Stock]

  • 1 pcs$0.13455

Nombor Bahagian:
SIRA10BDP-T1-GE3
Pengeluar:
Vishay Siliconix
Penerangan terperinci:
MOSFET N-CHAN 30V.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Vishay Siliconix SIRA10BDP-T1-GE3 electronic components. SIRA10BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIRA10BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIRA10BDP-T1-GE3 Atribut Produk

Nombor Bahagian : SIRA10BDP-T1-GE3
Pengeluar : Vishay Siliconix
Penerangan : MOSFET N-CHAN 30V
Siri : TrenchFET® Gen IV
Status Bahagian : Active
Jenis FET : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) : 30V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C : 30A (Ta), 60A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36.2nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 15V
Ciri FET : -
Pemberlakuan Kuasa (Max) : 5W (Ta), 43W (Tc)
Suhu Operasi : -55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal : PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes : PowerPAK® SO-8