Infineon Technologies - IPD80R1K0CEATMA1

KEY Part #: K6419643

IPD80R1K0CEATMA1 Harga (USD) [122915pcs Stock]

  • 1 pcs$0.30092
  • 2,500 pcs$0.24576

Nombor Bahagian:
IPD80R1K0CEATMA1
Pengeluar:
Infineon Technologies
Penerangan terperinci:
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Infineon Technologies IPD80R1K0CEATMA1 electronic components. IPD80R1K0CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R1K0CEATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD80R1K0CEATMA1 Atribut Produk

Nombor Bahagian : IPD80R1K0CEATMA1
Pengeluar : Infineon Technologies
Penerangan : MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Siri : CoolMOS™ CE
Status Bahagian : Active
Jenis FET : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) : 800V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C : 5.7A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 100V
Ciri FET : -
Pemberlakuan Kuasa (Max) : 83W (Tc)
Suhu Operasi : -55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal : PG-TO252-3
Pakej / Kes : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63