Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. IS43DR16160B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBLI

KEY Part #: K938861

IS43DR16160B-3DBLI Harga (USD) [22196pcs Stock]

  • 1 pcs$2.58234
  • 209 pcs$2.56949
Nombor Bahagian:
IS43DR16160B-3DBLI
Pengeluar:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Penerangan terperinci:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI electronic components. IS43DR16160B-3DBLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16160B-3DBLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16160B-3DBLI Atribut Produk

Nombor Bahagian : IS43DR16160B-3DBLI
Pengeluar : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Penerangan : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR2
Saiz Memori : 256Mb (16M x 16)
Frekuensi Jam : 333MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 450ps
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.9V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 84-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 84-TWBGA (8x12.5)

Berita terkini

Silicom MinnowBoard Turbot
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • W25M512JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25V02A-DGQTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • AT28HC64BF-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS SOIC IND GRN

  • 71V3577S75PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W9812G2KB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16ECLL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54BGA. DRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL

Bahagian panas