Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. IS43DR16160B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBLI-TR

KEY Part #: K939462

IS43DR16160B-3DBLI-TR Harga (USD) [25207pcs Stock]

  • 1 pcs$2.30947
  • 2,500 pcs$2.29798
Nombor Bahagian:
IS43DR16160B-3DBLI-TR
Pengeluar:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Penerangan terperinci:
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA. DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR electronic components. IS43DR16160B-3DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR16160B-3DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR16160B-3DBLI-TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : IS43DR16160B-3DBLI-TR
Pengeluar : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Penerangan : IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - DDR2
Saiz Memori : 256Mb (16M x 16)
Frekuensi Jam : 333MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 450ps
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.9V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 84-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 84-TWBGA (8x12.5)

Berita terkini

Silicom MinnowBoard Turbot
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

  • AS8C401825-QC75N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 7.5ns 256K x 18 Synch SRAM

  • AS8C403625-QC75N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 7.5ns 128K x 36 Synch SRAM

  • AS8C403600-QC150N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 150MHz 128K x 36 Synch SRAM

Bahagian panas