Vishay Siliconix - SQJ412EP-T1_GE3

KEY Part #: K6418722

SQJ412EP-T1_GE3 Harga (USD) [74217pcs Stock]

  • 1 pcs$0.52684
  • 3,000 pcs$0.44424

Nombor Bahagian:
SQJ412EP-T1_GE3
Pengeluar:
Vishay Siliconix
Penerangan terperinci:
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ412EP-T1_GE3 electronic components. SQJ412EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ412EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ412EP-T1_GE3 Atribut Produk

Nombor Bahagian : SQJ412EP-T1_GE3
Pengeluar : Vishay Siliconix
Penerangan : MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Siri : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status Bahagian : Active
Jenis FET : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) : 40V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 5950pF @ 20V
Ciri FET : -
Pemberlakuan Kuasa (Max) : 83W (Tc)
Suhu Operasi : -55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal : PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes : PowerPAK® SO-8