Nombor Bahagian :
EPC8002
Penerangan :
GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE
Teknologi :
GaNFET (Gallium Nitride)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
65V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
530 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
21pF @ 32.5V
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
-
Suhu Operasi :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
Die