Nombor Bahagian :
SIHJ10N60E-T1-GE3
Pengeluar :
Vishay Siliconix
Penerangan :
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) :
600V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
784pF @ 100V
Pemberlakuan Kuasa (Max) :
89W (Tc)
Suhu Operasi :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan :
Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal :
PowerPAK® SO-8
Pakej / Kes :
8-PowerTDFN