Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Integrated Circuits (ICs)
  4. Memory
  5. W988D2FBJX6I TR

Winbond Electronics - W988D2FBJX6I TR

KEY Part #: K942055

W988D2FBJX6I TR Harga (USD) [42588pcs Stock]

  • 1 pcs$1.24222
  • 2,500 pcs$1.23604
Nombor Bahagian:
W988D2FBJX6I TR
Pengeluar:
Winbond Electronics
Penerangan terperinci:
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp T&R
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in Winbond Electronics W988D2FBJX6I TR electronic components. W988D2FBJX6I TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W988D2FBJX6I TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W988D2FBJX6I TR Atribut Produk

Nombor Bahagian : W988D2FBJX6I TR
Pengeluar : Winbond Electronics
Penerangan : IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
Siri : -
Status Bahagian : Active
Jenis Memori : Volatile
Format Memori : DRAM
Teknologi : SDRAM - Mobile LPSDR
Saiz Memori : 256Mb (8M x 32)
Frekuensi Jam : 166MHz
Tulis Masa Kitar - Kata, Halaman : 15ns
Masa Capaian : 5.4ns
Antara Muka Memori : Parallel
Voltan - Bekalan : 1.7V ~ 1.95V
Suhu Operasi : -40°C ~ 85°C (TA)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej / Kes : 90-TFBGA
Pakej Peranti Pembekal : 90-VFBGA (8x13)

Berita terkini

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • IS25WP032A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWEIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SERIAL NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • SST26VF064B-104I/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory

  • IS25LP128-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC. NOR Flash 128M SPI, 8-pin SOP 208mil ET 2.3-3.6V

Bahagian panas