Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Sekiranya lokasi anda tidak disenaraikan, sila pilih salah satu daripada yang berikut:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Rumah
  2. Produk
  3. Discrete Semiconductor Products
  4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  5. EPC8010

EPC - EPC8010

KEY Part #: K6416436

EPC8010 Harga (USD) [106032pcs Stock]

  • 1 pcs$0.65777
  • 2,500 pcs$0.65450
Nombor Bahagian:
EPC8010
Pengeluar:
EPC
Penerangan terperinci:
GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE.
Masa peneraju standard pengeluar:
Dalam stok
Jangka hayat:
Setahun
Chip Dari:
Hong Kong
RoHS:
Kaedah pembayaran:
Cara penghantaran:
Kategori Keluarga:
KEY Components Co., LTD adalah Pengedar Komponen Elektronik yang menawarkan kategori produk termasuk: ...
Kelebihan daya saing:
We specialize in EPC EPC8010 electronic components. EPC8010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC8010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8010 Atribut Produk

Nombor Bahagian : EPC8010
Pengeluar : EPC
Penerangan : GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Siri : eGaN®
Status Bahagian : Active
Jenis FET : N-Channel
Teknologi : GaNFET (Gallium Nitride)
Salurkan ke Voltan Sumber (Vdss) : 100V
Semasa - Saliran berterusan (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Voltan Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Caj Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.48nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 55pF @ 50V
Ciri FET : -
Pemberlakuan Kuasa (Max) : -
Suhu Operasi : -40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan : Surface Mount
Pakej Peranti Pembekal : Die
Pakej / Kes : Die
Anda Juga Boleh Berminat Dalam
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.

Bahagian panas